STMicroelectronics Typ N Kanal, MDmesh II effekt-MOSFET, 17 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 761-0663
- Tillv. art.nr:
- STB23NM50N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
56,90 kr
(exkl. moms)
71,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 56,90 kr |
| 2 + | 53,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-0663
- Tillv. art.nr:
- STB23NM50N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MDmesh II effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | MDmesh | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.19Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.75mm | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MDmesh II effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie MDmesh | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.19Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.75mm | ||
Höjd 4.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MDmesh™, 500V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 17 A 500 V Förbättring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 11 A 800 V Förbättring TO-263, STB11NM80
- STMicroelectronics Typ N Kanal 17 A 650 V Förbättring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 17 A 800 V Förbättring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 12 A 650 V Förbättring TO-220FP, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 13 A 650 V Förbättring TO-220FP, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal 11 A 650 V Förbättring TO-220FP, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5 A 600 V Förbättring IPAK (TO-251), MDmesh
