Infineon, IGBT, 24 A 600 V, TO-263

Se alla IGBT:er

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

6 892,00 kr

(exkl. moms)

8 615,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +6,892 kr6 892,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-7063
Tillv. art.nr:
IKB10N60TATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

24A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

110W

Kapseltyp

TO-263

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC1

Serie

TRENCHSTOPTM

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IGBT discrete with anti parallel diode in TO-263 package. It has significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench cell and field stop concept. It has low conduction and switching losses also.

Lowest VCEsat drop for lower conduction losses

Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat

Very soft, fast recovery antiparallel emitter controlled diode

High ruggedness, temperature stable behaviour

Low gate charg

Relaterade länkar

Recently viewed