Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 112,82 kr

(exkl. moms)

1 391,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 210 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 3037,094 kr1 112,82 kr
60 - 12035,239 kr1 057,17 kr
150 +33,757 kr1 012,71 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
226-6119
Tillv. art.nr:
IKY40N120CS6XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

5kW

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

25 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.15V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

5.1mm

Bredd

15.9 mm

Längd

41.2mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 40 A IGBT with anti-parallel diode is very soft, fast recovery anti-parallel diode and has high ruggedness, temperature stable behaviour. It used low gate charge.

Low EMI

Low Gate Charge QG

Low saturation voltage if 1.85 V combined with low switching losses

Relaterade länkar

Recently viewed