Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

16 988,00 kr

(exkl. moms)

21 235,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +16,988 kr16 988,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-6649
Tillv. art.nr:
IKB40N65EF5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

74A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

250W

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC47/20/22

Serie

High Speed Fifth Generation

Fordonsstandard

Nej

The Infineon high speed fast switching insulated-gate bipolar transistor with full current rated rapid 1 fast and soft antiparallel diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar

Recently viewed