Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 79 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- RS-artikelnummer:
- 215-6655
- Tillv. art.nr:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
104,27 kr
(exkl. moms)
130,338 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 254 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 52,135 kr | 104,27 kr |
| 20 - 48 | 44,35 kr | 88,70 kr |
| 50 - 98 | 41,72 kr | 83,44 kr |
| 100 - 198 | 38,64 kr | 77,28 kr |
| 200 + | 35,95 kr | 71,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-6655
- Tillv. art.nr:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 79A | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 230W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.35V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±30 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 79A | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 230W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.35V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±30 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons höghastighetsomkopplande serie bipolär transistor med isolerad grind från femte generationen.
Högeffektiv
Låga omkopplingsförluster
Ökad tillförlitlighet
Låg elektromagnetisk störning
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 79 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 28 A 650 V, TO-220
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 90 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 26 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 75 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247