Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 79 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- RS-artikelnummer:
- 215-6655
- Tillv. art.nr:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 215-6655
- Tillv. art.nr:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 79A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 230W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.35V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±30 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 79A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 230W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.35V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±30 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons höghastighetsomkopplande serie bipolär transistor med isolerad grind från femte generationen.
Högeffektiv
Låga omkopplingsförluster
Ökad tillförlitlighet
Låg elektromagnetisk störning
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 79 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 28 A 650 V, TO-220
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 90 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 26 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 85 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål