Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 26 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

97,44 kr

(exkl. moms)

121,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 935 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4519,488 kr97,44 kr
50 - 12017,338 kr86,69 kr
125 - 24516,352 kr81,76 kr
250 - 49515,21 kr76,05 kr
500 +14,022 kr70,11 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-6628
Tillv. art.nr:
IGB15N60TATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

26A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

130W

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC1

Serie

TRENCHSTOPTM

Fordonsstandard

Nej

The Infineon low loss insulated-gate bipolar transistor with fieldstop technology.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar