Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 26 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

6 279,00 kr

(exkl. moms)

7 849,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
Tillfälligt slut
  • 2 000 enhet(er) levereras från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +6,279 kr6 279,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-6627
Tillv. art.nr:
IGB15N60TATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

26A

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

130W

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC1

Serie

TRENCHSTOPTM

Fordonsstandard

Nej

The Infineon low loss insulated-gate bipolar transistor with fieldstop technology.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar

Recently viewed