STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

143,14 kr

(exkl. moms)

178,925 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4528,628 kr143,14 kr
50 - 9526,858 kr134,29 kr
100 - 24521,504 kr107,52 kr
250 - 49517,898 kr89,49 kr
500 +15,77 kr78,85 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-9868
Tillv. art.nr:
STGB30H65DFB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

167W

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.4mm

Höjd

4.6mm

Serie

Trench Gate Field Stop

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Relaterade länkar