STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

136,42 kr

(exkl. moms)

170,525 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4527,284 kr136,42 kr
50 - 9525,58 kr127,90 kr
100 - 24520,474 kr102,37 kr
250 - 49517,068 kr85,34 kr
500 +15,03 kr75,15 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-9868
Tillv. art.nr:
STGB30H65DFB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

167 W

Package Type

D2PAK (TO-263)

Pin Count

3

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution

relaterade länkar