STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 420 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er

Antal (1 längd med 5 enheter)*

104,30 kr

(exkl. moms)

130,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 305 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
5 +20,86 kr104,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
810-3485
Tillv. art.nr:
STGB18N40LZT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

30A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

420V

Maximal effektförlust Pd

150W

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.7V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

16 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

Automotive Grade

Standarder/godkännanden

No

Bredd

9.35 mm

Höjd

4.6mm

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar