Littelfuse, IGBT, N Kanal, 20 A 365 V 6 μs, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

37,24 kr

(exkl. moms)

46,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 225 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +7,448 kr37,24 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
805-1753
Tillv. art.nr:
NGB8207ABNT4G
Tillverkare / varumärke:
Littelfuse
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Littelfuse

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

20A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

365V

Maximal effektförlust Pd

165W

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Kanaltyp

N

Antal ben

3

Switchhastighet

6μs

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

15 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

4.83mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

15.88mm

Serie

Ignition IGBT

Längd

10.29mm

Energimärkning

500mJ

Fordonsstandard

Nej

IGBBT diskreta, ON Semiconductor


Isolerade bipolära grindtransistorer (IGBT) för motordrivning och andra högströmsomkopplingstillämpningar.

IGBBT diskreta, ON Semiconductor


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.