STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 25 A 450 V 8.4 μs, 3 Ben, TO-263 Yta
- RS-artikelnummer:
- 164-6956
- Tillv. art.nr:
- STGB20N45LZAG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 2000 till för att spara 3 048,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 1000 enheter)*
15 392,00 kr
(exkl. moms)
19 240,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 15,392 kr | 15 392,00 kr | - |
| 2000 - 4000 | 13,868 kr | 13 868,00 kr | 3 048,00 kr |
| 5000 + | 13,56 kr | 13 560,00 kr | 9 160,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 164-6956
- Tillv. art.nr:
- STGB20N45LZAG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 25A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 450V | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 8.4μs | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 16 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.55V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | Automotive Grade | |
| Längd | 10.4mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Bredd | 9.35mm | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Energimärkning | 300mJ | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 25A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 450V | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 8.4μs | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 16 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.55V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie Automotive Grade | ||
Längd 10.4mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Bredd 9.35mm | ||
Höjd 4.6mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Energimärkning 300mJ | ||
Denna applikationsspecifika IGBT använder den mest avancerade PowerMESHTM-tekniken, optimerad för spoledrift i den tuffa miljön i fordonständningssystem. Dessa enheter visar mycket låg på-spänning och mycket hög SCIS-energikapacitet över ett brett driftstemperaturområde. Dessutom innebär ESD-skyddad grindingång på logisk nivå och ett integrerat grindmotstånd att inga externa skyddskretsar krävs
SCIS-energi på 300 mJ vid TJ = 25 °C
Delarna är 100 % testade i SCIS
ESD gate-emitter-skydd
Gate-collector högspänningsklämma
Grinddrivare för logisk nivå
Mycket låg mättnadsspänning
Hög pulsströmsförmåga
Gate- och gate-emittermotstånd
Relaterade länkar
- STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 25 A 450 V 8.4 μs, 3 Ben, TO-263 Yta
- STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 25 A 450 V 8.4 μs, 3 Ben, TO-252 Yta
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 10 A 375 V 8 μs, 3 Ben, TO-263 Yta
- STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 30 A 420 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta
- STMicroelectronics, IGBT 1200 V 5 μs, 3 Ben
- Littelfuse, IGBT, N Kanal, 20 A 365 V 6 μs, 3 Ben, TO-263 Yta
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 29 A 600 V 3.8 μs, 3 Ben, TO-220FP Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta