Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 273-2957
- Tillv. art.nr:
- IGB20N65S5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
112,90 kr
(exkl. moms)
141,10 kr
(inkl. moms)
Lägg till 25 enheter för att få fri frakt
I lager
- 980 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 22,58 kr | 112,90 kr |
| 50 - 95 | 17,36 kr | 86,80 kr |
| 100 - 245 | 16,106 kr | 80,53 kr |
| 250 - 495 | 15,814 kr | 79,07 kr |
| 500 + | 15,456 kr | 77,28 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2957
- Tillv. art.nr:
- IGB20N65S5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 40A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.35V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | TRENCHSTOPTM5 | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 40A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.35V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie TRENCHSTOPTM5 | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IGBT med antiparallelldiod i TO263-huset är lämplig för användning med ett enda grindmotstånd för på- eller avstängning.
Gate-drivrutiner med Miller-klämma behövs inte
Minskning av EMI-filtrering krävs
Utmärkt för parallell
Relaterade länkar
- Infineon Nej IGB20N65S5ATMA1 Typ N Kanal 3 Ben, TO-263 Genomgående hål
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-263 Yta 1
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, PG-TO-263 Yta
- Infineon Nej IGB50N65S5ATMA1 Typ N Kanal 3 Ben, PG-TO-263 Yta
- Infineon Nej IGB50N65H5ATMA1 Typ N Kanal 3 Ben, TO-263 Yta 1
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-263 Yta
