Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta 1

Se alla IGBT:er

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

14 881,00 kr

(exkl. moms)

18 601,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +14,881 kr14 881,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-4389
Tillv. art.nr:
IGB50N65H5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

270W

Antal transistorer

1

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.65V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 ±30 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.31mm

Bredd

9.45 mm

Höjd

4.57mm

Standarder/godkännanden

JEDEC47/20/22

Serie

High Speed Fifth Generation

Fordonsstandard

Nej

The Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technology redefines best-in-class IGBT resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It has collector emitter voltage of 650 V and collector current of 80 A.

Higher power density design

50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability

Mild positive temperature coefficient

Relaterade länkar