Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta 1

Se alla IGBT:er

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

13 023,00 kr

(exkl. moms)

16 279,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +13,023 kr13 023,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-4389
Tillv. art.nr:
IGB50N65H5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

270W

Antal transistorer

1

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 ±30 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.65V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC47/20/22

Längd

10.31mm

Höjd

4.57mm

Serie

High Speed Fifth Generation

Fordonsstandard

Nej

Infineons TRENCHSTOP IGBT5-teknik omdefinierar den bästa IGBT i klassen, vilket resulterar i lägre kopplings- och kapslingstemperatur som leder till högre enhetstillförlitlighet genom att ge oöverträffad prestanda när det gäller effektivitet för hårda omkopplingstillämpningar. Den har kollektorsändarspänning på 650 V och kollektorström på 80 A.

Högre effekttäthet

50 V ökning av busspänningen möjlig utan att äventyra tillförlitligheten

Mild positiv temperaturkoefficient

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.