Bourns, IGBT, 40 A 600 V, TO-247

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

65,58 kr

(exkl. moms)

81,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 192 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +32,79 kr65,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
253-3505
Tillv. art.nr:
BIDW20N60T
Tillverkare / varumärke:
Bourns
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Bourns

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

40A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

192W

Kapseltyp

TO-247

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.9V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Serie

BIDW20N60T

Fordonsstandard

Nej

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower conduction loss and fewer switching losses. In addition, this structure provides a positive temperature coefficient.

600 V, 20 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))

Trench-Gate Field-Stop technology

Optimized for conduction

Low switching loss

RoHS compliant

Relaterade länkar