Bourns, IGBT 600 V, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 253-3499
- Tillv. art.nr:
- BIDD05N60T
- Tillverkare / varumärke:
- Bourns
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
15 955,00 kr
(exkl. moms)
19 945,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 6,382 kr | 15 955,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 253-3499
- Tillv. art.nr:
- BIDD05N60T
- Tillverkare / varumärke:
- Bourns
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Bourns | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 82W | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±30 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Serie | BIDD05N60T | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Bourns | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 82W | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±30 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Serie BIDD05N60T | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure improves the robustness of the device.
600V, 5A, Low VCE(sat)
Trench-Gate Field-Stop technology
Optimized for conduction
Robust
RoHS compliant