Bourns, IGBT 600 V, TO-252

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

16 497,50 kr

(exkl. moms)

20 622,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +6,599 kr16 497,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
253-3499
Tillv. art.nr:
BIDD05N60T
Tillverkare / varumärke:
Bourns
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Bourns

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

82W

Kapseltyp

TO-252

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

BIDD05N60T

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

Nej

Bourns IGBT-enhet kombinerar teknik från en MOS-port och en bipolär transistor för en optimal komponent för högspännings- och högströmstillämpningar. Denna enhet använder Trench-Gate Field-Stop-teknik som ger större kontroll över dynamiska egenskaper med en lägre kollektor-emittermättnadsspänning (VCE(sat)) och färre omkopplingsförluster. Dessutom förbättrar denna struktur enhetens robusthet.

600 V, 5 A, låg VCE(sat)

Trench-Gate Field-Stop-teknik

Optimerad för ledning

Robust

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.