Bourns, IGBT, 60 A 600 V, 3 Ben, TO-247
- RS-artikelnummer:
- 253-3507
- Tillv. art.nr:
- BIDW30N60T
- Tillverkare / varumärke:
- Bourns
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
59,58 kr
(exkl. moms)
74,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 748 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 29,79 kr | 59,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 253-3507
- Tillv. art.nr:
- BIDW30N60T
- Tillverkare / varumärke:
- Bourns
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Bourns | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 60A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 230W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS 2015/863, 2015 and Annex, Mar 31 | |
| Serie | BIDW30N60T | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Bourns | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 60A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 230W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS 2015/863, 2015 and Annex, Mar 31 | ||
Serie BIDW30N60T | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure gives a lower thermal resistance R(th).
600 V, 30 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))
Trench-Gate Field-Stop technology
Optimized for conduction
RoHS compliant