Bourns, IGBT, 40 A 600 V, TO-247

Antal (1 rör med 600 enheter)*

11 317,20 kr

(exkl. moms)

14 146,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
600 +18,862 kr11 317,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
253-3504
Tillv. art.nr:
BIDW20N60T
Tillverkare / varumärke:
Bourns
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Bourns

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

40A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

192W

Kapseltyp

TO-247

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.9V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

BIDW20N60T

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

Nej

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower conduction loss and fewer switching losses. In addition, this structure provides a positive temperature coefficient.

600 V, 20 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))

Trench-Gate Field-Stop technology

Optimized for conduction

Low switching loss

RoHS compliant

Relaterade länkar