Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 1200 V, 31 Ben, Modul Chassi 7

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

1 262,13 kr

(exkl. moms)

1 577,66 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 9 enhet(er) från den 03 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 11 262,13 kr
2 - 41 198,96 kr
5 +1 148,56 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
232-6717
Tillv. art.nr:
FP75R12N2T7B11BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

75A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Antal transistorer

7

Kapseltyp

Modul

Fästetyp

Chassi

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

31

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.55V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

21.3mm

Bredd

45 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

107.5mm

Serie

FP75R12N2T7_B11

Fordonsstandard

Nej

The Infineon's EconoPIM 2, 75 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.

RoHS-compliant modules

Copper base plate for optimized heat spread

High power density

Relaterade länkar