Infineon, IGBT-modul, 75 A 1200 V, 8 Ben, Modul Panel

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 fack med 15 enheter)*

6 787,65 kr

(exkl. moms)

8 484,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 28 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per fack*
15 - 90452,51 kr6 787,65 kr
105 +414,80 kr6 222,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-7366
Tillv. art.nr:
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

75A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

500W

Kapseltyp

Modul

Typ av fäste

Panel

Antal ben

8

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.75V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

UL (E83335), RoHS

Höjd

16.4mm

Längd

62.4mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons IGBT-modul har 1200 V VCES, 75 A kontinuerlig DC-kollektorström, 3-nivås fasben IGBT-modul med aktiv neutralpunktklämma 2, NTC, höghastighets IGBT H3 och Press FIT-kontaktteknik. Denna IGBT-modul är lämplig för 3-nivåapplikationer.

RoHS-kompatibel

Höghastighets-IGBT H3

Låga omkopplingsförluster

Lämplig för solenergitillämpningar

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.