Sök efter MPN

Infineon, IGBT-modul, 75 A 1200 V 7

Name: Infineon, IGBT-modul, 75 A 1200 V 7
Brand: Infineon
SKU: 244-5835
Availability: BackOrder

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

1 401,01 kr

(exkl. moms)

1 751,26 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

*vägledande pris

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Maximal kontinuerlig kollektorström Ic	75A
	Produkttyp	IGBT-modul
	Maximal kollektor-emitterspänning Vceo	1200V
	Antal transistorer	7
	Maximal effektförlust Pd	280W
	Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT	2.15V
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal spänning för gate-emitter VGEO	20 V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Serie	FP50R12KE3
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 75A
	Produkttyp IGBT-modul
	Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V
	Antal transistorer 7
	Maximal effektförlust Pd 280W
	Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.15V
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Serie FP50R12KE3
	Fordonsstandard Nej

Infineon IGBT-modulens maximala nominella kollektorsändarspänning är 1200 V och total effektförlust är 280 W, maximal grindtröskelspänning är 6,5 V.

Intern isolering, grundläggande isolering (klass 1, IEC 61140)

Gate-emitter toppspänning +/- 20 V

Kollektor-emitter mättnadsspänning 2,30 V

Gate-emitter läckström 400 nA

Relaterade länkar

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.