Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 1200 V, 23 Ben, Modul Chassi 7

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 fack med 10 enheter)*

10 011,01 kr

(exkl. moms)

12 513,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 03 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per fack*
10 - 101 001,101 kr10 011,01 kr
20 +951,037 kr9 510,37 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
232-6711
Tillv. art.nr:
FP50R12N2T7B11BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

7

Maximal effektförlust Pd

20mW

Kapseltyp

Modul

Typ av fäste

Chassi

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

23

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

21.3mm

Serie

FP50R12N2T7_B11

Längd

107.5mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon's EconoPIM 2, 50 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.

RoHS-compliant modules

Copper base plate for optimized heat spread

High power density

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.