Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 1200 V, 23 Ben, Modul Chassi 7
- RS-artikelnummer:
- 232-6711
- Tillv. art.nr:
- FP50R12N2T7B11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 fack med 10 enheter)*
10 011,01 kr
(exkl. moms)
12 513,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 1 001,101 kr | 10 011,01 kr |
| 20 + | 951,037 kr | 9 510,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 232-6711
- Tillv. art.nr:
- FP50R12N2T7B11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 50A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Antal transistorer | 7 | |
| Kapseltyp | Modul | |
| Typ av fäste | Chassi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 23 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | FP50R12N2T7_B11 | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 107.5mm | |
| Höjd | 21.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 50A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Antal transistorer 7 | ||
Kapseltyp Modul | ||
Typ av fäste Chassi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 23 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie FP50R12N2T7_B11 | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 107.5mm | ||
Höjd 21.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon's EconoPIM 2, 50 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.
RoHS-compliant modules
Copper base plate for optimized heat spread
High power density
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 1200 V, 23 Ben, Modul Chassi 7
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 35 A 1200 V, 23 Ben, Modul Chassi 7
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 1200 V, 31 Ben, Modul Chassi 7
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 1200 V, 31 Ben, Modul Chassi 7
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 200 A 1200 V, 46 Ben, Modul Chassi 7
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 150 A 1200 V, 43 Ben, Modul Chassi 7
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 50 A 1200 V 1 MHz, 23 Ben, ECONO2 Klämma
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 28 A 1200 V 1 MHz, 23 Ben, EASY1B Klämma
