Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 1200 V, 23 Ben, Modul Chassi 7
- RS-artikelnummer:
- 232-6712
- Tillv. art.nr:
- FP50R12N2T7B11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
1 455,66 kr
(exkl. moms)
1 819,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 1 455,66 kr |
| 2 - 4 | 1 382,86 kr |
| 5 - 9 | 1 324,74 kr |
| 10 - 19 | 1 275,01 kr |
| 20 + | 1 243,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 232-6712
- Tillv. art.nr:
- FP50R12N2T7B11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 50A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Antal transistorer | 7 | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Kapseltyp | Modul | |
| Typ av fäste | Chassi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 23 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 21.3mm | |
| Serie | FP50R12N2T7_B11 | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 107.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 50A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Antal transistorer 7 | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Kapseltyp Modul | ||
Typ av fäste Chassi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 23 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 21.3mm | ||
Serie FP50R12N2T7_B11 | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 107.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon's EconoPIM 2, 50 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.
RoHS-compliant modules
Copper base plate for optimized heat spread
High power density
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 1200 V, 23 Ben, Modul Chassi 7
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 35 A 1200 V, 23 Ben, Modul Chassi 7
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 1200 V, 31 Ben, Modul Chassi 7
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 1200 V, 31 Ben, Modul Chassi 7
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 200 A 1200 V, 46 Ben, Modul Chassi 7
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 150 A 1200 V, 43 Ben, Modul Chassi 7
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 50 A 1200 V 1 MHz, 23 Ben, ECONO2 Klämma
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 28 A 1200 V 1 MHz, 23 Ben, EASY1B Klämma
