Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 200 A 1200 V, 46 Ben, Modul Chassi 7

Se alla IGBT:er

Antal (1 fack med 10 enheter)*

14 930,22 kr

(exkl. moms)

18 662,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 19 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
10 +1 493,022 kr14 930,22 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
232-6704
Tillv. art.nr:
FP200R12N3T7BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

200A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Antal transistorer

7

Kapseltyp

Modul

Fästetyp

Chassi

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

46

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.55V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

FP200R12N3T7

Höjd

20.5mm

Längd

122mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

62 mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon's EconoPIM 3, 200 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.

RoHS-compliant modules

Copper base plate for optimized heat spread

High power density

Relaterade länkar