Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 200 A 1200 V, 46 Ben, Modul Chassi 7

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

2 873,39 kr

(exkl. moms)

3 591,74 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 enhet(er) från den 03 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 12 873,39 kr
2 - 22 787,23 kr
3 +2 508,46 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
232-6705
Tillv. art.nr:
FP200R12N3T7BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

200A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Antal transistorer

7

Kapseltyp

Modul

Fästetyp

Chassi

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

46

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.55V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

122mm

Bredd

62 mm

Höjd

20.5mm

Serie

FP200R12N3T7

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon's EconoPIM 3, 200 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.

RoHS-compliant modules

Copper base plate for optimized heat spread

High power density

Relaterade länkar