Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 40 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 454,73 kr

(exkl. moms)

1 818,42 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 210 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +48,491 kr1 454,73 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-6612
Tillv. art.nr:
AIKW20N60CTXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

40A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

166W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

5.21mm

Serie

TrenchStop

Längd

42mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with fast recovery antiparallel emitter controlled diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar