Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 40 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 454,73 kr

(exkl. moms)

1 818,42 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 210 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +48,491 kr1 454,73 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-6612
Tillv. art.nr:
AIKW20N60CTXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

40A

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

166W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

TrenchStop

Längd

42mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

5.21mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with fast recovery antiparallel emitter controlled diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.