STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

671,43 kr

(exkl. moms)

839,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 630 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 9022,381 kr671,43 kr
120 - 27020,612 kr618,36 kr
300 - 57020,07 kr602,10 kr
600 - 117019,555 kr586,65 kr
1200 +19,066 kr571,98 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-9877
Tillv. art.nr:
STGWA30H65DFB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

167W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

21.1 mm

Längd

15.9mm

Serie

STG

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

5.1mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Relaterade länkar