STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 115 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 900,74 kr

(exkl. moms)

2 375,94 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 60 enhet(er) från den 20 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 3063,358 kr1 900,74 kr
60 +60,189 kr1 805,67 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
206-6063
Tillv. art.nr:
STGW75H65DFB2-4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

115A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

357W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

4

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

5.1mm

Längd

15.9mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

STG

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive VCE(sat) temperature coefficient

Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin

Relaterade länkar