STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 145 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247-4 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 212-2107
- Tillv. art.nr:
- STGW100H65FB2-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
186,59 kr
(exkl. moms)
233,238 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 568 enhet(er) från den 10 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 93,295 kr | 186,59 kr |
| 20 - 48 | 84,95 kr | 169,90 kr |
| 50 + | 70,785 kr | 141,57 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 212-2107
- Tillv. art.nr:
- STGW100H65FB2-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 145A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 441W | |
| Kapseltyp | TO-247-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 4 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Längd | 15.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | STG | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 145A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 441W | ||
Kapseltyp TO-247-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 4 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 5.1mm | ||
Längd 15.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie STG | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IGBT
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2-serien representerar en utveckling av den avancerade proprietära trench gate-fältstoppstrukturen. HB2 seriens prestanda är optimerad när det gäller ledningsförmåga, tack vare ett bättre VCE(sat) beteende vid låga strömvärden, liksom när det gäller minskad omkopplingsenergi. Resultatet är en produkt som är speciellt utformad för att maximera effektiviteten för ett brett utbud av snabba tillämpningar.
Minimerad slutström
Tight parameterfördelning
Låg värmeresistans
Positiv VCE(sat)-temperaturkoefficient
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 145 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247-4 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 145 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 115 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 60 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål