STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 LL Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

170,02 kr

(exkl. moms)

212,525 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 420 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 534,004 kr170,02 kr
10 +28,47 kr142,35 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
201-4418
Tillv. art.nr:
STGWA30HP65FB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

167W

Kapseltyp

TO-247 LL

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

15.9mm

Höjd

5.1mm

Bredd

21.1 mm

Serie

STG

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package, has a positive VCE(sat) temperature coefficient.

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Relaterade länkar

Recently viewed