STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 LL Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

671,55 kr

(exkl. moms)

839,43 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 420 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 9022,385 kr671,55 kr
120 - 24020,029 kr600,87 kr
270 - 48019,503 kr585,09 kr
510 - 99019,003 kr570,09 kr
1020 +18,529 kr555,87 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
201-4417
Tillv. art.nr:
STGWA30HP65FB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

167W

Kapseltyp

TO-247 LL

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

STG

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

5.1mm

Längd

15.9mm

Bredd

21.1 mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package, has a positive VCE(sat) temperature coefficient.

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Relaterade länkar

Recently viewed