Vishay, IGBT, Typ N Kanal, 3 Ben, TO-263 Yta
- RS-artikelnummer:
- 180-8025
- Tillv. art.nr:
- SUM70060E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
166,66 kr
(exkl. moms)
208,325 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 5 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 33,332 kr | 166,66 kr |
| 50 - 120 | 29,994 kr | 149,97 kr |
| 125 - 245 | 26,656 kr | 133,28 kr |
| 250 - 495 | 24,348 kr | 121,74 kr |
| 500 + | 21,66 kr | 108,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-8025
- Tillv. art.nr:
- SUM70060E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | ThunderFET | |
| Längd | 15.875mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Energimärkning | 125mJ | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie ThunderFET | ||
Längd 15.875mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Energimärkning 125mJ | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET är ett N-kanal, TO-263-3-paket är en ny tidsprodukt med en dräneringskällspänning på 100 V och maximal grindkällspänning på 20 V. Den har ett drain-source-motstånd på 5,6 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. MOSFET har en maximal effektförlust på 375 W. Denna produkt har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Halogen- och blyfri (Pb) komponent
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 175 °C
• TrenchFET effekt MOSFET
Användningsområden
• Switchade AC/DC-nätaggregat
• Batterihantering
• DC/AC-växelriktare
• DC/DC-omvandlare
• Belysning
• Motorstyrningsomkopplare
• Synkron likriktare
• Avbrottsfri strömförsörjning
Relaterade länkar
- Vishay, IGBT, Typ N Kanal, 3 Ben, TO-263 Yta
- Vishay, IGBT, Typ N Kanal, 3 Ben, TO-247AC
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 34 A 600 V, TO-263
- Vishay N-kanal, N-kanals MOSFET, 90 A 200 V, 3 Ben, TO-263
- Vishay, IGBT, Typ P Kanal, 3 Ben, TO-252 Yta
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 4.4 A 800 V, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 600 V, 3 Ben, TO-263, E
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-263 Yta