Vishay, IGBT, Typ P Kanal, 3 Ben, TO-252 Yta

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

190,06 kr

(exkl. moms)

237,58 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 140 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 809,503 kr190,06 kr
100 - 1809,218 kr184,36 kr
200 - 4808,742 kr174,84 kr
500 - 9808,361 kr167,22 kr
1000 +7,874 kr157,48 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
180-8117
Tillv. art.nr:
SUD08P06-155L-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

IGBT

Maximal effektförlust Pd

20.8W

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ P

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

6.73 mm

Längd

6.22mm

Höjd

2.38mm

Standarder/godkännanden

RoHS-compliant

Fordonsstandard

Nej

Vishay MOSFET


The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-252-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 52mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 20.8W. It can be used in load switches for portable devices. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen and lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Relaterade länkar