Sök efter MPN

Vishay, IGBT, Typ N Kanal, 3 Ben, TO-247AC

RS-artikelnummer:: 180-7913
Tillv. art.nr:: SIHG47N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay, IGBT, Typ N Kanal, 3 Ben, TO-247AC

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

96,10 kr

(exkl. moms)

120,12 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 35 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet
1 - 9	96,10 kr
10 - 24	93,41 kr
25 - 49	88,48 kr
50 - 99	84,56 kr
100 +	79,74 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7913
Tillv. art.nr:: SIHG47N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	IGBT
	Maximal effektförlust Pd	379W
	Kapseltyp	TO-247AC
	Kanaltyp	Typ N
	Antal ben	3
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för gate-emitter VGEO	30 V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Serie	EF
	Längd	16.25mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Bredd	15.87 mm
	Energimärkning	1500mJ
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp IGBT
	Maximal effektförlust Pd 379W
	Kapseltyp TO-247AC
	Kanaltyp Typ N
	Antal ben 3
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för gate-emitter VGEO 30 V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Serie EF
	Längd 16.25mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Bredd 15.87 mm
	Energimärkning 1500mJ
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

The Vishay SIHG47N60EF is a N-channel EF series power MOSFET with fast body diode having drain to source voltage(Vds) of 600V and gate to source voltage (VGS) 30V. It is having TO-247AC package. It is offers drain to source resistance (RDS.) of 0.065ohms at 10VGS. Maximum drain current 47A.

Fast body diode MOSFET using E series technology

Reduced trr, Qrr, and IRRM

Low figure of merit (FOM) Ron x Qg

Vishay, IGBT, Typ N Kanal, 3 Ben, TO-247AC

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Relaterade länkar