Toshiba, Diskret IGBT, Typ N Kanal, 50 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 rör med 25 enheter)*

1 262,25 kr

(exkl. moms)

1 577,75 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 75 enhet(er) från den 12 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
25 +50,49 kr1 262,25 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-7768
Tillv. art.nr:
GT50JR22
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

Diskret IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

230W

Kapseltyp

TO-3P

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.2V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±25 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

6.5th generation

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
JP

IGBT Diskret, Toshiba


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Toshiba


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.