STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 60 A 600 V, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 168-8792
- Tillv. art.nr:
- STGWT30H60DFB
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 150 till för att spara 46,95 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
751,74 kr
(exkl. moms)
939,66 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 30 - 120 | 25,058 kr | 751,74 kr | - |
| 150 - 270 | 24,745 kr | 742,35 kr | 46,95 kr |
| 300 + | 24,442 kr | 733,26 kr | 184,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-8792
- Tillv. art.nr:
- STGWT30H60DFB
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 60A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 260W | |
| Kapseltyp | TO-3P | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | HB | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 60A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 260W | ||
Kapseltyp TO-3P | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie HB | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- KR
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 60 A 600 V, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 120 A 650 V, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 40 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 7.5 A 600 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 60 A 600 V 29 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 60 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål