Toshiba, Diskret IGBT, Typ N Kanal, 40 A 1200 V 2.5 MHz, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

53,98 kr

(exkl. moms)

67,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 18 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 453,98 kr
5 +50,40 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
891-2743
Tillv. art.nr:
GT40QR21,F(O
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

40A

Produkttyp

Diskret IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

230W

Kapseltyp

TO-3P

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

2.5MHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±25 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.9V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

6.5th generation

Standarder/godkännanden

RoHS

Energimärkning

0.29mJ

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
JP

IGBT Diskret, Toshiba


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Toshiba


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar