Toshiba, Diskret IGBT, Typ N Kanal, 50 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

71,46 kr

(exkl. moms)

89,32 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 241 enhet(er) är redo att levereras
  • Plus 34 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 96 enhet(er) från den 27 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 971,46 kr
10 - 4945,25 kr
50 - 12444,24 kr
125 - 24943,68 kr
250 +42,78 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
796-5064
Tillv. art.nr:
GT50JR22
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

Diskret IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

230W

Kapseltyp

TO-3P

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.2V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±25 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

6.5th generation

Fordonsstandard

Nej

IGBT Diskret, Toshiba


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Toshiba


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed