IXYS, IGBT-modul, N Kanal, 360 A 1200 V, 11 Ben, SimBus F Kretskort 2

Se alla IGBT:er

Antal (1 låda med 3 enheter)*

4 274,09 kr

(exkl. moms)

5 342,61 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 19 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per låda*
3 +1 424,697 kr4 274,09 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4565
Tillv. art.nr:
MIXA225PF1200TSF
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

360A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

1100W

Antal transistorer

2

Kapseltyp

SimBus F

Typ av fäste

Kretskort

Kanaltyp

N

Antal ben

11

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.8V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

MIXA225PF1200TSF

Standarder/godkännanden

No

Längd

152mm

Bredd

62mm

Höjd

17mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
DE

IGBT Modules, IXYS


Diskreta GIGBT-enheter och moduler, IXYS


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.