IXYS, IGBT-modul, Typ N Kanal, 360 A 1200 V, 11 Ben, SimBus F Kretskort 2

Se alla IGBT:er

Antal (1 låda med 3 enheter)*

4 274,091 kr

(exkl. moms)

5 342,613 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per låda*
3 +1 424,697 kr4 274,09 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4565
Tillv. art.nr:
MIXA225PF1200TSF
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

360A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

1100W

Antal transistorer

2

Kapseltyp

SimBus F

Fästetyp

Kretskort

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

11

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.8V

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Maximal arbetstemperatur

-40°C

Längd

152mm

Höjd

17mm

Standarder/godkännanden

No

Serie

MIXA225PF1200TSF

Bredd

62 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
DE

IGBT Modules, IXYS


Diskreta GIGBT-enheter och moduler, IXYS


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed