IXYS, IGBT-modul, Typ N Kanal, 360 A 1200 V, 11 Ben, SimBus F Kretskort 2

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

1 424,70 kr

(exkl. moms)

1 780,88 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 41 424,70 kr
5 - 91 387,68 kr
10 - 241 351,95 kr
25 +1 318,02 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
124-0710
Tillv. art.nr:
MIXA225PF1200TSF
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

360A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

1100W

Antal transistorer

2

Kapseltyp

SimBus F

Fästetyp

Kretskort

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

11

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.8V

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal arbetstemperatur

-40°C

Bredd

62 mm

Höjd

17mm

Serie

MIXA225PF1200TSF

Längd

152mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

IGBT Modules, IXYS


Diskreta GIGBT-enheter och moduler, IXYS


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar