IXYS, IGBT-modul, Typ N Kanal, 90 A 1200 V 30 kHz, 7 Ben, Y4-M5 Yta

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

732,88 kr

(exkl. moms)

916,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4732,88 kr
5 - 9687,46 kr
10 - 24669,87 kr
25 +652,96 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
193-880
Tillv. art.nr:
MII75-12A3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

90A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

370W

Kapseltyp

Y4-M5

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

7

Switchhastighet

30kHz

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.7V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

NPT

Standarder/godkännanden

No

Längd

94mm

Höjd

30mm

Bredd

34 mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT Modules, IXYS


Diskreta GIGBT-enheter och moduler, IXYS


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar