IXYS, XPT IGBT-modul, Typ N Kanal, 450 A 1200 V 85 ns, 11 Ben, SimBus F Kretskort 2
- RS-artikelnummer:
- 124-0712
- Tillv. art.nr:
- MIXA450PF1200TSF
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 124-0712
- Tillv. art.nr:
- MIXA450PF1200TSF
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | XPT IGBT-modul | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 450A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2100W | |
| Antal transistorer | 2 | |
| Kapseltyp | SimBus F | |
| Typ av fäste | Kretskort | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 11 | |
| Switchhastighet | 85ns | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.8V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60747, RoHS | |
| Serie | MIXA450PF1200TSF | |
| Höjd | 17mm | |
| Längd | 152mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp XPT IGBT-modul | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 450A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 2100W | ||
Antal transistorer 2 | ||
Kapseltyp SimBus F | ||
Typ av fäste Kretskort | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 11 | ||
Switchhastighet 85ns | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.8V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60747, RoHS | ||
Serie MIXA450PF1200TSF | ||
Höjd 17mm | ||
Längd 152mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IGBT Modules, IXYS
Diskreta GIGBT-enheter och moduler, IXYS
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- IXYS, XPT IGBT-modul, Typ N Kanal, 450 A 1200 V 85 ns, 11 Ben, SimBus F Kretskort 2
- IXYS, XPT IGBT, Typ N Kanal, 58 A 1200 V 70 ns, 3 Ben, ISOPLUS247 Kretskort
- IXYS, XPT IGBT, Typ N Kanal, 88 A 1200 V 70 ns, 4 Ben, SOT-227B Genomgående hål
- IXYS, XPT IGBT, Typ N Kanal, 78 A 1200 V 70 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- IXYS, IGBT-modul, Typ N Kanal, 360 A 1200 V, 11 Ben, SimBus F Kretskort 2
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 1200 V 140 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 1200 V 160 ns, 3 Ben, TO-268 Genomgående hål
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 1200 V 160 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål