IXYS, XPT IGBT-modul, Typ N Kanal, 450 A 1200 V 85 ns, 11 Ben, SimBus F Kretskort 2

Se alla IGBT:er

Antal (1 låda med 3 enheter)*

3 903,879 kr

(exkl. moms)

4 879,848 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 39 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per låda*
3 +1 301,293 kr3 903,88 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
146-1703
Tillv. art.nr:
MIXA450PF1200TSF
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

XPT IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

450A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

2

Maximal effektförlust Pd

2100W

Kapseltyp

SimBus F

Fästetyp

Kretskort

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

11

Switchhastighet

85ns

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.8V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

MIXA450PF1200TSF

Standarder/godkännanden

IEC 60747, RoHS

Längd

152mm

Bredd

62 mm

Höjd

17mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
DE

IGBT Modules, IXYS


Diskreta GIGBT-enheter och moduler, IXYS


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar