IXYS, XPT IGBT, Typ N Kanal, 78 A 1200 V 70 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
168-4776
Tillv. art.nr:
IXA45IF1200HB
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

78A

Produkttyp

XPT IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

325W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

70ns

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.8V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Höjd

5.3mm

Bredd

16.24 mm

Längd

20.3mm

Serie

Planar

Standarder/godkännanden

Epoxy meets UL 94V-0, RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
US

IGBT-diskreter, IXYS XPT-serien


XPT™-serien av diskreta IGBT:er från IXYS har Extreme-light Punch-Through tunnskiveteknik, vilket resulterar i minskat värmemotstånd och lägre energiförluster. Dessa enheter ger snabba omkopplingstider med låg slutström och finns i en mängd olika industristandardiserade och egenutvecklade kapslingar.

Hög effekttäthet och låg VCE(sat)

Kvadratiska RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Areas) upp till nominell genomslagsspänning

Kortslutningsförmåga för 10usec

Temperaturkoefficient för positiv on-state-spänning

Valfria sampackade Sonic-FRD™- eller HiPerFRED™-dioder

Internationella standard- och egenutvecklade högspänningspaket

Diskreta GIGBT-enheter och moduler, IXYS


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar