onsemi, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 140 A 1200 V, 4 Ben, TO-247-4L 1 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 277-078
- Tillv. art.nr:
- FGY4L140T120SWD
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
150,64 kr
(exkl. moms)
188,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 40 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 150,64 kr |
| 10 - 99 | 135,63 kr |
| 100 + | 124,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 277-078
- Tillv. art.nr:
- FGY4L140T120SWD
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 140A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.25kW | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Konfiguration | Gemensam emitter | |
| Kapseltyp | TO-247-4L | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 4 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 22.54mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 140A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.25kW | ||
Antal transistorer 1 | ||
Konfiguration Gemensam emitter | ||
Kapseltyp TO-247-4L | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 4 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 5mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 22.54mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The ON Semiconductor IGBT and Gen7 Diode in a TO247 4-lead package offer optimal performance with low switching and conduction losses, enabling high-efficiency operations. These components are designed for use in various applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and energy storage systems (ESS), providing reliable and efficient power management in these demanding environments.
High current capability
Smooth and optimized switching
Low switching loss
RoHS compliant
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal Gemensam emitter 4 Ben, TO-247-4L 1 Genomgående hål
- onsemi Typ N Kanal Gemensam emitter 4 Ben, TO-247-4L 1 Genomgående hål
- onsemi Typ N Kanal Gemensam emitter 4 Ben, TO-247-4L 1 Genomgående hål
- Infineon 7 Ben, CTI Panel
- Infineon Typ N Kanal Gemensam emitter Modul 6 Panel
- Infineon Typ N Kanal Gemensam emitter 23 Ben 6 Panel
- Infineon Typ N Kanal Gemensam emitter 35 Ben, EasyPIM 6 Panel
- Infineon Typ N Kanal Gemensam emitter 31 Ben, Modul 7 Panel
