STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal Enkel, 119 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 enhet)*

41,22 kr

(exkl. moms)

51,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
I lager
  • 25 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +41,22 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-009
Tillv. art.nr:
STGWA50M65DF2AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

119A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Antal transistorer

1

Maximal effektförlust Pd

576W

Konfiguration

Enkel

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

20.1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

15.70 to 15.90 mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Safer paralleling

Relaterade länkar