onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 120 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 214-8789
- Tillv. art.nr:
- AFGY120T65SPD
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
146,94 kr
(exkl. moms)
183,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Försörjningsbrist
- 374 kvar, redo att levereras
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 146,94 kr |
| 10 + | 126,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-8789
- Tillv. art.nr:
- AFGY120T65SPD
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 120A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 714W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Serie | AFGY120T65SPD | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 120A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 714W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Serie AFGY120T65SPD | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ON Semiconductor AFGY-serien är IGBT med mjuk snabb återställningsdiod som erbjuder mycket låga lednings- och omkopplingsförluster för en högeffektiv drift i olika applikationer, robust transienttillförlitlighet och låg EMI.
Tight parameterfördelning
Hög ingångsimpedans
Kortslutningsbeständighet
Förpackad med mjuk diod för snabb återställning
Relaterade länkar
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 120 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, Fältstopp dike IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål