onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

129,47 kr

(exkl. moms)

161,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9129,47 kr
10 +111,55 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-8786
Tillv. art.nr:
AFGY100T65SPD
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

100A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

660W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

AFGY100T65SPD

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

The ON Semiconductor AFGY series is IGBT with soft fast recovery diode which offers very low conduction and switch losses for a high efficiency operation in various applications, rugged transient reliability and low EMI.

Tight parameter distribution

High input impedance

Short circuit ruggedness

Co−packed with soft fast recovery diode

Relaterade länkar