STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal Enkel, 119 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 238,37 kr

(exkl. moms)

1 547,97 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +41,279 kr1 238,37 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-008
Tillv. art.nr:
STGWA50M65DF2AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

119A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Antal transistorer

1

Maximal effektförlust Pd

576W

Konfiguration

Enkel

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

15.70 to 15.90 mm

Längd

20.1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Safer paralleling

Relaterade länkar

Recently viewed