STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal Enkel, 119 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 215-008
- Tillv. art.nr:
- STGWA50M65DF2AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
1 310,40 kr
(exkl. moms)
1 638,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 43,68 kr | 1 310,40 kr |
| 150 - 270 | 42,586 kr | 1 277,58 kr |
| 300 + | 41,41 kr | 1 242,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-008
- Tillv. art.nr:
- STGWA50M65DF2AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 119A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Maximal effektförlust Pd | 576W | |
| Konfiguration | Enkel | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 15.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 20.1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 119A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Antal transistorer 1 | ||
Maximal effektförlust Pd 576W | ||
Konfiguration Enkel | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 15.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 20.1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics IGBT har utvecklats med hjälp av en avancerad egenutvecklad grindgate-fältstruktur. Enheten är en del av M-serien av IGBT, som representerar en optimal balans mellan invertersystemets prestanda och effektivitet där låg förlust och kortslutningsfunktionalitet är avgörande. Dessutom resulterar den positiva VCE(sat)-temperaturkoefficienten och den snäva parameterfördelningen i säkrare parallell drift.
Minimerad slutström
Tight parameterfördelning
Säkrare parallellisering
Relaterade länkar
- STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal Enkel, 119 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål