Infineon Gate-drivare, Gate-drivare, 600 mA, 8 Ben 625 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 257-5809
- Tillv. art.nr:
- IRS2103SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
82,66 kr
(exkl. moms)
103,325 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 3 780 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 16,532 kr | 82,66 kr |
| 50 - 120 | 14,022 kr | 70,11 kr |
| 125 - 245 | 13,216 kr | 66,08 kr |
| 250 - 495 | 12,23 kr | 61,15 kr |
| 500 + | 11,402 kr | 57,01 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5809
- Tillv. art.nr:
- IRS2103SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 600mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 35ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | Gate-drivare | |
| Stigtid | 70ns | |
| Minsta matningsspänning | 10V | |
| Maximal matningsspänning | 625V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | IRS2103 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 600mA | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 35ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg Gate-drivare | ||
Stigtid 70ns | ||
Minsta matningsspänning 10V | ||
Maximal matningsspänning 625V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie IRS2103 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon half bridge driver is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high- and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600 V.
Floating gate driver designed for bootstrap operation
Fully operational to +600 V
Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
Gate drive supply range from 10 V to 20 V
Under voltage lockout
33 V, 5 V, and 15 V logic input compatible
Cross-conduction prevention logic
Matched propagation delay for both channels
Internal set dead time
High-side output in phase with HIN input
Low-side output out of phase with LIN input