Infineon MOSFET, Gate-drivare, 260 mA, 8 Ben 15.4V, SOIC

Se alla Gate-drivare
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

101,47 kr

(exkl. moms)

126,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 20 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 8 120 enhet(er) från den 03 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4010,147 kr101,47 kr
50 - 909,632 kr96,32 kr
100 - 2409,229 kr92,29 kr
250 - 4908,826 kr88,26 kr
500 +8,221 kr82,21 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
226-6201
Tillv. art.nr:
IRS21531DSTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Gate-drivare

Utström

260mA

Antal ben

8

Kapseltyp

SOIC

Falltid

80ns

Antal utgångar

2

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

220ns

Minsta matningsspänning

10.1V

Maximal matningsspänning

15.4V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

IRS

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4mm

Längd

5mm

Höjd

1.75mm

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

Infineon IRS-serien grinddrivare, 10,1 V minsta matningsspänning, 260 mA utgångsström – IRS21531DSTRPBF


Denna grinddrivare ger tvåkanalig MOSFET-drivning för lågspänningsomkopplingstillämpningar och levererar kontrollerade grindpulser till strömtransistorer över ett blygsamt matningsområde. Den är avsedd för ytmontering och fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande termiska miljöer.

Funktioner och fördelar:


• Dubbla utgångar ger oberoende MOSFET-grindstyrning och förenklad grindstyrning
• 260 mA utgångsström för måttliga behov av grindladdning
• Matningsområde på 10,1 V till 15,4 V stöder vanliga lågspänningsförsörjningar
• Snabb stigtid på 220 ns möjliggör snabb påslagningsrespons
• Falltid på 80 ns minskar övergångstiden för omkopplingen
• Klassad för 150 °C möjliggör drift vid förhöjda kopplingstemperaturer

Användningsområden


• Används för MOSFET-gatedrift med halvbrygga i effektomvandlare
• Lämplig för grindstyrning med motordrivning i kompakta enheter
• Kan användas för synkron likriktardrift i DC/DC-omvandlare
• Idealisk för grindstyrning på täta ytmonterade strömförsörjningsmoduler
• Används med lågspännings batteridrivna switchkonstruktioner

Vilket förpackningsformat ska jag planera för på mitt kretskort?


Den levereras i ett 8-stifts SOIC-paket för standarddytor för ytmontering.

Hur litet är komponentfotavtrycket för trånga layouter?


Förpackningen mäter 4 mm i bredd och 5 mm i längd för kompakt placering.

Vilket temperaturområde kan enheten tolerera under drift?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till maximalt 150 °C.

Hur många utgångskanaler finns tillgängliga för grindsignalering?


Det finns två oberoende utgångskanaler för separata MOSFET-grindar.

Vilken monteringsmetod krävs för montering?


Enheten är avsedd för ytmonterad placering på ett kretskort.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.